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AO4906	文件：123.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous 文件：123.88 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4906	文件：1.78577 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4906；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.78577 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4906	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Dual-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4906L	文件：123.88 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous 文件：123.88 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AO4932
Package：
SOIC-8
Configuration：
Dual - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
12
Id(A)(25℃)：
7
Id(A)(75℃)：
6
Pd(W)(25℃)：
2
Pd(W)(75℃)：
1.44
Rds (on) mΩ max(10V)：
27
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
32
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
50
Qg (nC)：
9.6

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