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AO4701	文件：307.96 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON4701	文件：176.83 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAON4701usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ASchottkydiodeisprovidedtofacilitatetheimplementationofabidirectionalblockingswitch,orforDC-DCconversionapplications.StandardProductAON4701isPb-free(meetsROH	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON4701	文件：175.72 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON4701L	文件：176.83 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode GeneralDescription TheAON4701usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ASchottkydiodeisprovidedtofacilitatetheimplementationofabidirectionalblockingswitch,orforDC-DCconversionapplications.StandardProductAON4701isPb-free(meetsROH	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AZ4701	文件：677.11 Kbytes Page：21 Pages	QL(AZ4)MicroLimitSwitch FEATURES 1.Subminiaturedesign Thesizeoftheactualunitisapproximately 1/10inthecaseoftheplunger modelandapproximately1/6.5inthe caseofthearmmodel,thatofthevertical typelimitswitch. Large-scaleminiaturizationhasbeen achieved.Idealforminiaturizedmachinery	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
BTZS4701	文件：292.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
C4701	文件：528.05 Kbytes Page：2 Pages	2500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •6Ux28TEx306mm •Weight9.0kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CD4701	文件：114.52 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4678THRU1N4717 •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,WITHTHEEXCEP	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4701	文件：112.59 Kbytes Page：2 Pages	50uA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CLL4701	文件：82.12 Kbytes Page：2 Pages	LOWLEVELZENERDIODE1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL4678SeriesSiliconLowLevelZenerDiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforapplicationsrequiringanextremelylowoperatingcurrentandlowleakage. MARKING:CATHODEBAND	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
AO4701
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -5A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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