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AO4800	文件：325.01 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. Features VDS (V) = 30V ID = 6.9A RDS(ON) 文件：325.01 Kbytes 页数：6 Pages	ALPHA	ALPHA
AO4800	文件：1.02706 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Set Top Box • Low Current DC/DC 文件：1.02706 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4800	文件：1.53608 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.53608 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4800	文件：76.24 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：76.24 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V Dual N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4800	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V Dual N-ch Fast Switching MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO4800A	文件：110.31 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4800A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. Standard Product AO4800A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 sp 文件：110.31 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800AL	文件：110.31 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4800A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. Standard Product AO4800A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 sp 文件：110.31 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800B	文件：114.37 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4800B/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. Standard Product AO4800B/L is Pb-free (meets ROHS & Sony 25 文件：114.37 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800B	文件：1.024819 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Set Top Box • Low Current DC/DC 文件：1.024819 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
27
4.5V：
32
2.5V：
50
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
6.90
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
1.50
Ciss (pF)：
630
Coss (pF)：
75
Crss (pF)：
50
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.60
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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