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AO4800BL	文件：114.37 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4800B/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. Standard Product AO4800B/L is Pb-free (meets ROHS & Sony 25 文件：114.37 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800C	文件：574.56 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-Channel MOSFET General Description The AO4800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. Product Summary VDS 30V ID (at V 文件：574.56 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800-HF	文件：2.09007 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4800；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 6.9 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.09007 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4800_V1	文件：76.24 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：76.24 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800B	文件：575.61 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-Channel MOSFET 文件：575.61 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800B_11	文件：575.61 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-Channel MOSFET 文件：575.61 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800L	文件：76.24 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：76.24 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4800B	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术制造出性能领先的低压MOSFET。这些产品为DCDC、负载开关、BLDC及电源等应用量身定做。	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
27
4.5V：
32
2.5V：
50
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
6.90
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
1.50
Ciss (pF)：
630
Coss (pF)：
75
Crss (pF)：
50
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.60
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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