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AO4806	文件：117.85 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4806 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitat 文件：117.85 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4806	文件：1.20837 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 9.4 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.20837 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4806	文件：1.6148 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.6148 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4806	文件：177.42 Kbytes Page：4 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：177.42 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4806	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 20V Dual N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4806-HF	文件：1.49501 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 9.4 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.49501 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4806L	文件：117.85 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4806 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitat 文件：117.85 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4806_11	文件：177.42 Kbytes Page：4 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET 文件：177.42 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
14
4.5V：
16
2.5V：
22
1.8V：
30
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
9.40
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
17.90
VGS(th) max (V)：
1
Ciss (pF)：
1810
Coss (pF)：
232
Crss (pF)：
200
Qgd (nC)：
4.70
tD(on) (ns)：
3.30
tD(off) (ns)：
44
Trr (ns)：
22
Qrr (nC)：
8.60
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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