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AO4771	文件：1.77654 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AO4771	文件：297.73 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4771	文件：2.27199 Mbytes Page：5 Pages	Marking：4771；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4771L	文件：261.05 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
C4771	文件：528.05 Kbytes Page：2 Pages	2500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •6Ux28TEx306mm •Weight9.0kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CD4771	文件：137.28 Kbytes Page：2 Pages	MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS •MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •8.5&9.1VOLTNOMINALZENERVOLTAGE+5 •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4765THRU1N4772AAND1N4775THRU1N4782ASERIES •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHT	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CD4771	文件：562.45 Kbytes Page：2 Pages	MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS •MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •8.5&9.1VOLTNOMINALZENERVOLTAGE+5 •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4765THRU1N4772AAND1N4775THRU1N4782ASERIES •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CD4771A	文件：562.45 Kbytes Page：2 Pages	MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS •MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •8.5&9.1VOLTNOMINALZENERVOLTAGE+5 •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4765THRU1N4772AAND1N4775THRU1N4782ASERIES •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CD4771A	文件：137.28 Kbytes Page：2 Pages	MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS •MONOLITHICTEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •8.5&9.1VOLTNOMINALZENERVOLTAGE+5 •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4765THRU1N4772AAND1N4775THRU1N4782ASERIES •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHT	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4771	文件：111.93 Kbytes Page：2 Pages	9.1VOLTNOMINALZENERVOLTAGE5 •TEMPERATURECOMPENSATEDZENERREFERENCEDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •9.1VOLTNOMINALZENERVOLTAGE±5 •LOWCURRENTOPERATINGRANGE:0.5and1.0mA •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE

详细参数

型号：
AO4771
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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