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AO4771	文件：297.73 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：297.73 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4771	文件：2.27199 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4771；Package：SOP-8；P-Channel MOSFET 文件：2.27199 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4771	文件：1.77654 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.77654 Mbytes 页数：6 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4771	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：P-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4771L	文件：261.05 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：261.05 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Last Time Buy
Package：
SOIC-8
Configuration：
Single - P
Vds/V：
-30
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
-4
Id(A)(75℃)：
-3
Pd(W)(25℃)：
2
Pd(W)(75℃)：
1.3
Rds (on) mΩ max(10V)：
68
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
105
Qg (nC)：
2.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO4771供应商更新时间2025-10-4 16:36:00

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