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AO4619	文件：153 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4619usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedininverterandotherapplications.StandardProductAO4619isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Features n-channel	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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CDLL4619D	文件：122.75 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
CLL4619	文件：106.81 Kbytes Page：2 Pages	500mWLOWNOISEZENERDIODE5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL4614SeriesSiliconZenerDiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforlowleakage,lowcurrentandlownoiseapplications	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CLL4619	文件：305.02 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNT500mWLOWNOISESILICONZENERDIODES5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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详细参数

型号：
AO4619
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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