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AO4803	文件：139.12 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4803 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4803L is a Green Product orde 文件：139.12 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4803	文件：614.71 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET 文件：614.71 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4803	文件：300 bytes Page：1 Pages	P+P 30V MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO4803	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管MOSFET	MSKSEMI 美森科	MSKSEMI
AO4803	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-Channel MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO4803A	文件：1.05511 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches 文件：1.05511 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4803A	文件：1.9508 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4803A；Package：SOP-8；Dual P-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET Application ® DC-DC Converters. * Load Switch. * Power Management. 文件：1.9508 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4803A	文件：115.42 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4803A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V) 文件：115.42 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4803A	文件：2.09309 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4803A；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -5 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：2.09309 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4803A-HF	文件：2.86327 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4803A；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -5 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：2.86327 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
52
4.5V：
87
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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