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AO4714	文件：1.49442 Mbytes Page：4 Pages	Marking：4714；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=20A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4714	文件：254.07 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription SRFETTMAO4714usesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VD	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4714	文件：178.52 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4714_11	文件：178.52 Kbytes Page：4 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BTZS4714	文件：292.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
CD4714	文件：114.52 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4678THRU1N4717 •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,WITHTHEEXCEP	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4714	文件：112.59 Kbytes Page：2 Pages	50uA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CLL4714	文件：310.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEVELSILICONZENERDIODES1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW,5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CLL4714	文件：82.12 Kbytes Page：2 Pages	LOWLEVELZENERDIODE1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL4678SeriesSiliconLowLevelZenerDiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforapplicationsrequiringanextremelylowoperatingcurrentandlowleakage. MARKING:CATHODEBAND	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CLL4714	文件：310.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEVELSILICONZENERDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
AO4714
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SRFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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