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AO4712	文件：579.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription SRFET™TheAO4712usesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAO47	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4712	文件：1.0065 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4712	文件：2.062699 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=13A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4712	文件：283.9 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4712_12	文件：283.9 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
4712	文件：127.47 Kbytes Page：4 Pages	3M??VinylTape4712(Linered)	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
4712	文件：32.5 Kbytes Page：3 Pages	VinylTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
4712	文件：3.83504 Mbytes Page：81 Pages	LockingDevices	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司	COOPER
A4712	文件：487.75 Kbytes Page：11 Pages	DUALSPDTANALOGSWITCH0.4廓NCAND0.5廓NO,LOW-VOLTAGE,SINGLE-SUPPLY DESCRIPTION TheA4712isaDualWide-Bandwidth,fastsingle-poledouble-throw(SPDT)CMOSswitchfeaturinganOn-Resistanceof0.4ohmatVDD=2.7Vandwidepowersupplyrangefrom1.65Vto5.5V. TheA4712canbeusedasananalogswitchorasalow-delaybusswitch. Break-before-makefunctionf	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AK4712	文件：454.55 Kbytes Page：30 Pages	StereoCap-lessLINE-AmpandHDVideo-Amp GENERALDESCRIPTION TheAK4712isaHighDefinitionA/Vcap-lesslinedriver.TheAK4712integratestheaudiolinedriver,SD/HDvideofiltersandvideodrivers.ItsA/VoutputsareGround-referencedandeliminatetheneedforlargeA/VDC-blockingcapacitorswithabuilt-inCharge-pumpcircuit.	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AK4712EN	文件：1.10388 Mbytes Page：32 Pages	AK4712EvaluationBoardRev.0 GENERALDESCRIPTION TheAK4712isaHighDefinitionA/Vcap-lesslinedriver.TheAK4712integratestheaudiolinedriver,SD/HDvideofiltersandvideodrivers.ItsA/VoutputsareGround-referencedandeliminatetheneedforlargeA/VDC-blockingcapacitorswithabuilt-inCharge-pumpcircuit.	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AKD4712-A	文件：1.10388 Mbytes Page：32 Pages	AK4712EvaluationBoardRev.0 GENERALDESCRIPTION TheAK4712isaHighDefinitionA/Vcap-lesslinedriver.TheAK4712integratestheaudiolinedriver,SD/HDvideofiltersandvideodrivers.ItsA/VoutputsareGround-referencedandeliminatetheneedforlargeA/VDC-blockingcapacitorswithabuilt-inCharge-pumpcircuit.	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AMS4712	文件：607.4 Kbytes Page：8 Pages	Miniaturizedpressuretransmitterwith4..20mAoutput FEATURES Calibratedandtemperaturecompensated pressuresensorwithtwo-wire4..20mA currentloopoutput Differential/gage,bidirectionaldifferential, absoluteandbarometricversions Widevarietyofpressureranges: 5mbarupto2bar Piezoresistivesensingelement High	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
AMS4712	文件：607.69 Kbytes Page：8 Pages	Miniaturizedpressuretransmitterwith4..20mAoutput FEATURES Calibratedandtemperaturecompensatedpressuresensorwithtwo-wire4..20mAcurrentloopoutput Differential/gage,bidirectionaldifferential,absoluteandbarometricversions Widevarietyofpressureranges:5mbarupto2bar Piezoresistivesensingelement Highprec	ANALOGMICROAnalog Microelectronics GmbH 芸圣微电子上海芸圣微电子有限公司	ANALOGMICRO
BCM4712	文件：567.56 Kbytes Page：1 Pages	AIRFORCEINTERGRATEDWIRELESSACESSPOINT	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BTZS4712	文件：292.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
CD4712	文件：114.52 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4678THRU1N4717 •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,WITHTHEEXCEP	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4712	文件：112.59 Kbytes Page：2 Pages	50uA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CLL4712	文件：82.12 Kbytes Page：2 Pages	LOWLEVELZENERDIODE1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL4678SeriesSiliconLowLevelZenerDiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforapplicationsrequiringanextremelylowoperatingcurrentandlowleakage. MARKING:CATHODEBAND	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CLL4712	文件：310.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEVELSILICONZENERDIODES1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW,5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
AO4712
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SRFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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