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AO4712	文件：2.062699 Mbytes Page：4 Pages	Marking：4712；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=13A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4712	文件：579.77 Kbytes Page：5 Pages	Marking：4712；Package：SO-8；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription SRFET™TheAO4712usesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAO47	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4712	文件：1.0065 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4712	文件：283.9 Kbytes Page：6 Pages	Marking：4712；Package：SO-8；30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4712_12	文件：283.9 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BCM4712	文件：567.56 Kbytes Page：1 Pages	AIRFORCEINTERGRATEDWIRELESSACESSPOINT	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BTZS4712	文件：292.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
CD4712	文件：114.52 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4678THRU1N4717 •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,WITHTHEEXCEP	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4712	文件：112.59 Kbytes Page：2 Pages	50uA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CLL4712	文件：310.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEVELSILICONZENERDIODES1.8VOLTSTHRU43VOLTS500mW,5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
AO4712
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SRFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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