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AO4704	文件：160.21 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO4704 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics.This device is suitable for use as a synchronous switch in PWM applications. The co-packaged Schottky Diode boosts efficiency further. AO4704 is Pb-fr 文件：160.21 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4704	文件：1.59779 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4704；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 13 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.59779 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4704	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4704L	文件：160.21 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description The AO4704 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics.This device is suitable for use as a synchronous switch in PWM applications. The co-packaged Schottky Diode boosts efficiency further. AO4704 is Pb-fr 文件：160.21 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AO4710
Package：
SOIC-8
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
12
Id(A)(25℃)：
13
Id(A)(75℃)：
10.4
Pd(W)(25℃)：
3.1
Pd(W)(75℃)：
2
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
11.5
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
13
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
30.5

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