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AO4620	文件：144.74 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4620 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in inverter and other applications. Features n-channel p-channel VDS (V) = 30V -30V ID = 7.2 文件：144.74 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4620	文件：2.35263 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4620；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 7.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：2.35263 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4620	文件：1.23129 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank 文件：1.23129 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4620	文件：307.1 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：307.1 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4620	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补型功率MOSFETs Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AO4620-HF	文件：3.31663 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4620；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 30V ID = 7.2 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：3.31663 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4620_12	文件：307.1 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：307.1 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4620
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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