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AO4484	文件：204.7 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4484/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This is an all purpose device that is suitable for use in a wide range of power conversion applications. AO4484 and AO4484L are electrically identical. -RoHS Compliant -AO4484L i 文件：204.7 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4484	文件：1.31808 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4484；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 40V ● ID = 10 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.31808 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4484	文件：1.02956 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Synchronous Rectification • POL, IBC - Secondary Side 文件：1.02956 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4484	文件：1.71137 Mbytes Page：4 Pages	40V N-Channel MOSFET General Description The AO4484 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This is an all purpose device that is suitable for use in a wide range of power conversion applications. Product Summary VDS (V) = 40V ID = 10A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.71137 Mbytes 页数：4 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4484	文件：185.57 Kbytes Page：4 Pages	40V N-Channel MOSFET 文件：185.57 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4484	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 40V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4484-HF	文件：1.8129 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4484；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 40V ● ID = 10 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.8129 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4484L	文件：204.7 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4484/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This is an all purpose device that is suitable for use in a wide range of power conversion applications. AO4484 and AO4484L are electrically identical. -RoHS Compliant -AO4484L i 文件：204.7 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4484_10	文件：185.57 Kbytes Page：4 Pages	40V N-Channel MOSFET 文件：185.57 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
40
VGS (±V)：
20
10V：
10
4.5V：
12.50
ID @ 25°C (A)：
10
PD @ 25°C (W)：
1.70
Qg (10V)(nC)：
27.20
Qg (4.5V)(nC)：
13.60
VGS(th) max (V)：
3
Ciss (pF)：
1500
Coss (pF)：
215
Crss (pF)：
135
Qgd (nC)：
6.40
tD(on) (ns)：
6.40
tD(off) (ns)：
29.60
Trr (ns)：
30
Qrr (nC)：
19
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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