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AO4614	文件：316.28 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AO4614；Package：SOP-8；40V P-Channel and N-Channel MOSFET General Description The AO4614 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. 文件：316.28 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4614	文件：358.17 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AO4614；Package：SOP-8；40V P-Channel and N-Channel MOSFET Product Summary N-Channel P-Channel VDS (V) = 40V, -40V ID = 6A (VGS=10V) -5A (VGS=-10V) RDS(ON) 文件：358.17 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4614	文件：1.23149 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank 文件：1.23149 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4614	文件：142.89 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4614 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AO4614 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4614L is 文件：142.89 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4614	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N+P MOSFET	JGSEMI 台湾金锆	JGSEMI
AO4614	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
AO4614	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AO4614A	文件：1.78894 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank 文件：1.78894 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4614A	文件：152.12 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4614A uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. Standard Product AO4614A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). Features 文件：152.12 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4614A	文件：2.26095 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4614A；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：2.26095 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

ID/A：
7.2
VDS/V：
40
RDS(on)/mΩ：
20
VGS/V：
20
VGS(th)/V：
1.0-2.5
N/P：
N+P

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