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AO4474数据手册AOS中文资料规格书

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厂商型号

AO4474

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

制造商

AOS Alpha & Omega Semiconductor(AOS)

中文名称

美国万代 美国万代半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-14 11:40:00

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AO4474规格书详情

描述 Description

General Description
The AO4474 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is suitable for use as a high side switch in SMPS and general purpose applications. Standard Product AO4474 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4474L is a Green Product ordering option. AO4474 and AO4474L are electrically identical.

特性 Features

VDS(V) = 30V
ID= 13.4A (VGS= 10V)
RDS(ON) <11.5mΩ(VGS= 10V)
RDS(ON)< 13.5mΩ(VGS= 4.5V)

技术参数

  • 型号:

    AO4474

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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