AO4456中文资料N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor数据手册AOS规格书
AO4456规格书详情
描述 Description
General Description
The AO4456 uses advanced trench technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, load switching and general purpose applications. Standard Product AO4456 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4456 is a Green Product ordering option. AO4456 and AO4456 are electrically identical.
特性 Features
VDS (V) = 30V
ID =20A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 4.6mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 5.6mΩ (VGS = 4.5V)
技术参数
- 型号：
AO4456
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
SRFET™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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