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2SK3136-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) =4.5 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

文件:87.28 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

2SK3136

isc N-Channel MOSFET Transistor

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2SK3136

N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET

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2SK3136

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) =4.5 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

文件:87.28 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    2SK3136-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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