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2SK3147L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 0.1 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：54.02 Kbytes 页数：9 Pages | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | Hitachi | |
2SK3147L | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：398.99 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2SK3147L | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.035599 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=0.1 Ωtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.2 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
High Speed Power Switching 文件：246.54 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
2SK3147L | Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas |
技术参数
- 封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
100
- ID (A)：
5
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
170
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
130
- Ciss (pF) 典型值：
420
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
20
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
2022+ |
IPAK |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
DPAK(L)-(2)TO-251 |
2047880 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
HIT |
23+ |
2800 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
HIT |
2023+ |
IPAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-252 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
32500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
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