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|---|---|---|---|---|
2SK3159 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 23 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：27.23 Kbytes 页数：4 Pages | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | |
2SK3159 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 23 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：101.01 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
2SK3159 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.35 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2SK3159 | Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 23 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：101.01 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：112.7 Kbytes 页数：10 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
150V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：272.51 Kbytes 页数：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS |
技术参数
- 封装类型：
TO-3P
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
150
- ID (A)：
50
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
42
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
30
- Ciss (pF) 典型值：
4000
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
125
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HIT/RENES |
25+ |
TO-3P |
45000 |
HIT/RENES全新现货2SK3159即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
24+ |
60000 |
询价 | |||||
日立 |
24+ |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-3P |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-3P |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-92S |
15000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
N/A |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
TOS |
TO-92S |
8553 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
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