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2SK321	文件：205.24 Kbytes Page：6 Pages	SI N-CHANNEL JUNCTION Wide-Band, Low-Noise Amplifier Video Camera 文件：205.24 Kbytes 页数：6 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SK3210	文件：156.73 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 40 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：156.73 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3210	文件：35.22 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =35mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：35.22 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3210L	文件：35.22 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =35mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：35.22 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3210L	文件：156.73 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 40 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：156.73 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3210S	文件：35.22 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =35mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：35.22 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3210STL	文件：156.73 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS= 40 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：156.73 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3211	文件：64.17 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 60 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：64.17 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3211	文件：239.17 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3221 is N-channel DMOS FET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter. FEATURES • Low gate charge QG = 9 nC T 文件：239.17 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3211	文件：94.71 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 60 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.71 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
150
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
63
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
45
Ciss (pF) 典型值：
2600
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
100
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK321供应商更新时间2025-12-13 19:07:00

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