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2SK3210规格书详情
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
特性 Features
• Low on-resistance
RDS= 40 mΩtyp.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
产品属性
- 型号：
2SK3210
- 制造商：
HITACHI
- 制造商全称：
Hitachi Semiconductor
- 功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
8398 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO263 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
reNESAS |
24+ |
60000 |
询价 | ||||
RENESAS |
1922+ |
TO-263 |
10000 |
公司进口原装特价处理 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
SOT263 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
RENESAS |
2511 |
TO263 |
33000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS |
1427+ |
TO263 |
33000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
SMD |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
