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|---|---|---|---|---|
2SK3163 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |  | |
2SK3163 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
2SK3163 | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2SK3163 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | |
2SK3163 | Power MOSFETs | RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |
技术参数
- 封装类型：
TO-3P
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
60
- ID (A)：
75
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
12
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
7.5
- Ciss (pF) 典型值：
7100
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
110
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
- QG (nC) 典型值：
125
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
17+ |
220 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
60000 |
询价 | ||||
HITACHI |
专业铁帽 |
TO-220 |
500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO247 |
6000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
HIT |
11+ |
TO-3P |
36 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
HIT |
23+ |
2800 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
50 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS |
2022+ |
TO247 |
20000 |
只做原装进口现货.假一罚十 |
询价 |
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