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2SK3136	文件：52.05 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 4.5 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：52.05 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3136	文件：87.28 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) =4.5 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.28 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3136	文件：333.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3136	文件：1.26336 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET 文件：1.26336 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3136	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SK3136	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3136-E	文件：87.28 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) =4.5 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：87.28 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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更多2SK3136供应商更新时间2025-10-7 14:14:00