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2SK3136	文件：52.05 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=4.5mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3136	文件：87.28 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=4.5mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3136	文件：1.26336 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3136	文件：333.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3136-E	文件：87.28 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=4.5mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多2SK3136供应商更新时间2025-7-23 18:10:00