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2SK3207	文件：27.23 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 70 mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：27.23 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3207	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
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更多2SK3207供应商更新时间2026-10-28 11:01:00