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2SK3224-Z	文件：370.41 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3224isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3224-Z	文件：39.84 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=790pFTYP. •Built-i	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3224-Z	文件：974.1 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3224-Z	文件：331.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3224	文件：39.84 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=790pFTYP. •Built-i	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3224	文件：45.96 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features LowOn-StateResistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) LowCiss:Ciss=790pFTYP. Built-inGateProtectionDiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3224	文件：960.1 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3224	文件：398.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3224	文件：370.41 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3224isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SK3224-Z
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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