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2SK3215	文件：31.42 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features • Low on-resistance RDS=350mΩtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：31.42 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3215	文件：333.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3215	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching • Low on-resistance\n RDS=350mΩtyp.\n• High speed switching\n• 4V gate drive device can be driven from 5V source;	HITACHI 日立	HITACHI
2SK3230	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT523	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
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更多2SK3215供应商更新时间2026-4-17 13:36:00