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2SK3287	文件：40 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features • Low on-resistance RDS= 1.26 Ωtyp. (VGS= 10 V , ID= 150 mA) RDS= 2.8 Ωtyp. (VGS= 4 V , ID= 50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK) 文件：40 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3287	文件：157.16 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching 文件：157.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3287	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors>Switching/MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3298B-S17-AY	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SK3432	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO220	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
2SK3287
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SK3287	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	2SK3287	NK/南科功率	2025+	SOT-23	986966	国产	询价
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更多2SK3287供应商更新时间2026-4-18 14:00:00

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