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2SK3320	文件：312.28 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type For Low Noise Audio Amplifier Applications • Two devices in a ultra super mini (five pins) package • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0) • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Super low noise: NF = 1.0dB (typ.) (VDS = 10 V, ID = 0.5 文件：312.28 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3320	文件：312.28 Kbytes Page：5 Pages	For Low Noise Audio Amplifier Applications For Low Noise Audio Amplifier Applications • Two devices in a ultra super mini (five pins) package • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0) • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Super low noise: NF = 1.0dB (typ.) (VDS = 10 V, ID = 0.5 文件：312.28 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3320	文件：193.43 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) For Low Noise Audio Amplifier Applications • Two devices in a ultra super mini (five pins) package • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0) • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Super low noise: NF = 1.0dB (typ.) (VDS = 10 V, ID = 0.5 文件：193.43 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3320	文件：589.29 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Junction Type For Low Noise Audio Amplifier Applications 文件：589.29 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3320	文件：300 bytes Page：1 Pages	Junction FET (Surface mount type) 2 in 1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：N-ch×2\nInternal Connection：Common source\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Gate Current IG 10 mA \nGate-drain Voltage VGDS -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK3320-GR	文件：312.28 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type For Low Noise Audio Amplifier Applications • Two devices in a ultra super mini (five pins) package • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0) • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Super low noise: NF = 1.0dB (typ.) (VDS = 10 V, ID = 0.5 文件：312.28 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3320Y	文件：312.28 Kbytes Page：5 Pages	For Low Noise Audio Amplifier Applications For Low Noise Audio Amplifier Applications • Two devices in a ultra super mini (five pins) package • High \|Yfs\|: \|Yfs\| = 15 mS (typ.) (VDS = 10 V, VGS = 0) • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Super low noise: NF = 1.0dB (typ.) (VDS = 10 V, ID = 0.5 文件：312.28 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3320_07	文件：589.29 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel Junction Type For Low Noise Audio Amplifier Applications 文件：589.29 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3320-BL(TE85L,F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - JFET 描述：JFET DUAL N-CH USV	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Polarity：
N-ch x 2
VGDS (Max)(V)：
-50
IG (Max)(mA)：
10
IDSS (Max)(mA)：
14
IDSS (Min)(mA)：
1.2
(Min)(mS)：
4
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
USV
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
Package Size(mm^2)：
4.20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市云美电子科技有限公司	2SK3320-Y(TE85L,F)	TOSHIBA/东芝	24+		84000	只做原装进口现货	询价

更多2SK3320供应商更新时间2026-4-24 16:30:00

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