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2SK3211S | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS=60mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |  | |
2SK3211S | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive, ·HalfBridge ·PFCandOtherBoostConverter ·BuckConverterh | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
2SK3211S | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
2SK3211S | Power MOSFETs | RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS=60mΩtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |
技术参数
- 封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- 配置[器件]：
Built-In SBD
- VDSS (V) 最大值：
200
- ID (A)：
25
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
85
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
75
- Ciss (pF) 典型值：
2420
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
100
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Surface Mount
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
LDPAK(S)-(1)TO-263 |
2000000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
R |
25+ |
LDPAK(S)-(1)TO- |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-263 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
276 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Renesas |
17+ |
TO-220FM |
6200 |
询价 |
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