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2SK3152	文件：51.84 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS= 100 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：51.84 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3152	文件：88.34 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS= 100 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.34 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3152	文件：283.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：283.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3152	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3152_15	文件：108.23 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：108.23 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
120
ID (A)：
10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
170
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
130
Ciss (pF) 典型值：
580
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
25
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK3152供应商更新时间2025-12-24 9:41:00

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