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2SK3155	文件：50.64 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS= 100 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：50.64 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3155	文件：88.9 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS= 100 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.9 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3155	文件：108.94 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：108.94 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3155	文件：324.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3155	文件：1.02795 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.02795 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3155	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3155-E	文件：88.9 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS= 100 mΩtyp. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.9 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3155_15	文件：108.94 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：108.94 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
150
ID (A)：
15
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
150
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
130
Ciss (pF) 典型值：
850
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK3155供应商更新时间2026-10-27 16:00:00

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