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2SK3199	文件：49.03 Kbytes Page：2 Pages	External dimensions Sanken / MOS FET ( 2SK1177 thru 2SK3460) 文件：49.03 Kbytes 页数：2 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
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2SK3199	文件：295.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3199	文件：979.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：979.57 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
2SK3199	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 硅 N 通道型 MOSFET	Sanken 三垦	Sanken

技术参数

VDS：
500V
VGS：
±30V
ID：
±5A
PD：
30W
VTHmin：
2V
VTHmax：
4V
RDS(ON)Typ.(VGS=10V)：
1.2Ω
Ciss：
650pF
Crss：
110pF

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更多2SK3199供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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