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2SK3175A	文件：79.02 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features • High power output, High gain, High efficiency P1dB = 110 W, PG = 16.0 dB, ηD = 60 (at P1dB) typ. (f = 860MHz) • Compact package 文件：79.02 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3175A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET	HITACHI 日立	HITACHI
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详细参数

型号：
2SK3175A
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier

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