2SK3177中文资料下载库存现货瑞萨HITACHI-114ic电子网

首页 >2SK3177>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
2SK3177	文件：51.81 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：51.81 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3177	文件：88.49 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.49 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3177	文件：324.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3177	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3177-E	文件：88.49 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS =90mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：88.49 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3177_15	文件：108.54 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：108.54 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SK3177供应商更新时间2026-4-17 16:30:00