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2SK3158	文件：26.97 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=35mΩtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：26.97 Kbytes 页数：4 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3158	文件：54.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=40mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：54.44 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3158	文件：333.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3158	文件：1.10398 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.10398 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
2SK3158	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3158-E	文件：54.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=40mΩ typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：54.44 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3158_15	文件：73.08 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：73.08 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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