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2SA1015GR	文件：73.45 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR 2SA1015isPNPsiliconplanartransistordesignedforaudiofrequencygeneralpurposeamplifierapplicationsanddriverstageamplifierapplications.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SA1015-GR	文件：390.75 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-GR	文件：84.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Capableof0.4WattsofPowerDissipation. •Collector-current:-0.15A •Collector-baseVoltage:-50V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+125°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:A1015 •LeadFreeFinish/R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-GR	文件：633.47 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-H	文件：838.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1015-H	文件：452.4 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SA1015-H-HF	文件：926.75 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1015K	文件：256.589 Kbytes Page：2 Pages	PlasticEncapsulateTransistors FEATURES .PowerDissipation PCM:0.2W(Ta=25к) .CollectorCurrent ICM:-0.15A .Collector-BaseVoltage V(BR)CBO:-50V	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1015L	文件：110.69 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1015L	文件：153.07 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1015-L	文件：838.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1015-L	文件：452.4 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SA1015-L-HF	文件：926.75 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1015L-Y	文件：172.91 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplicationsDriverStageAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SA1015M	文件：911.79 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SA1015-O	文件：84.67 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Capableof0.4WattsofPowerDissipation. •Collector-current:-0.15A •Collector-baseVoltage:-50V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+125°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:A1015 •LeadFreeFinish/R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-O	文件：390.75 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015-O	文件：633.47 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SA1015T-G	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
2SA1015T-L	文件：923.43 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	2SA1015(L)GR	TOSHIBA/东芝	23+	TO92	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多2SA1015(L)GR供应商更新时间2024-9-24 9:30:00

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