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深圳市凯睿晟科技有限公司

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深圳市华斯顿科技有限公司

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深圳市胜彬电子有限公司

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深圳市富芯乐电子科技有限公司

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2SB1202S-TL-E功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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2SB1202T-E功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SB1202T-TL-E功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

晶体管资料

  • 型号：

    2SB1202

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性质：

    开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    60V

  • 最大电流允许值：

    3A

  • 最大工作频率：

    150MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    2SA1244,2SB906,2SB929,2SB1184,

  • 最大耗散功率：

    15W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    A-80

  • vtest：

    60

  • htest：

    150000000

  • atest：

    3

  • wtest：

    15

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