TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),

文件：178.67 Kbytes 页数：3 Pages

TOSHIBA

东芝

丝印：SY；Package：SOT-23；PNP Transistors

■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712

文件：639.74 Kbytes 页数：3 Pages

YFWDIODE

佑风微

PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

文件：264.55 Kbytes 页数：2 Pages

MCC

PNP Transistors

文件：1.26454 Mbytes 页数：2 Pages

KEXIN

科信电子

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.),

文件：178.67 Kbytes 页数：3 Pages

TOSHIBA

东芝

PNP Transistors

文件：1.27806 Mbytes 页数：2 Pages

KEXIN

科信电子

小信号双极型晶体管

MCC

美微科

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage