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2SA1162-YTE85LF	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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2SA1162-YTE85LF

文件：178.67 Kbytes

Page：3 Pages

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V,IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA) =0.95(typ.) •HighhFE:hFE=70~400 •Lownoise:NF=1dB(typ.),

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
2SA1162-YTE85LF
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2SA1162-YTE85LF供应商更新时间2024-6-4 8:24:00

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