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2SA1193(K)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon PNP Darlington Transistor	HITACHI 日立	HITACHI
2SA1193K	文件：161.79 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial, Darlington 文件：161.79 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1193K	文件：34.75 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier 文件：34.75 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SA1193K	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2SA1193(K)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC876,BC878,BC880,BSR60,BSR61,BSR62,2SB1405,
最大耗散功率：
0.9W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
A-12
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.9

技术参数

功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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