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2SA1204	文件：153.71 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency Amplifier Applications • High DC current gain: hFE(1) = 100 to 320 • Suitable for output stage of 1 watts amplifier • Small flat package • PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) • Complementary to 2SC2884 文件：153.71 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1204	文件：143.86 Kbytes Page：4 Pages	Audio Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications • High DC current gain: hFE(1) = 100 to 320 • Suitable for output stage of 1 watts amplifier • Small flat package • PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) • Complementary to 2SC2884 文件：143.86 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1204	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1204	文件：173.3 Kbytes Page：4 Pages	丝印：RO；Package：SOT-89；Silicon Planar Epitaxial Transistor FEATURES ● Suitable for output stage of 1 watts Amplifier ● Suitable flat package ● High DC current gain ● PC=1.0 to 2.0W(mounted on ceramic substrate) ● Complementary to 2SC2884 文件：173.3 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1204	文件：190.55 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Complementary to 2SC2884 ● Small Flat Package ● Audio Frequency Amplifier Application ● High DC Current Gain 文件：190.55 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1204	文件：1.19599 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary to 2SC2884 ● Small Flat Package ● Audio Frequency Amplifier Application ● High DC Current Gain 文件：1.19599 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1204	文件：363.01 Kbytes Page：2 Pages	Audio Frequency Amplifier Applications Features ● Suitable For Output Stage of 1 Watts Amplifier ● Small Flat Package ● PC = 1 to 2W (mounted on ceramic substrate) ● Complementary to 2SC2884 文件：363.01 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1204	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1204	文件：1.44181 Mbytes Page：3 Pages	丝印：RO；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to 2SC2884 Small Flat Package Audio Frequency Amplifier Application High DC Current Gain 文件：1.44181 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1204	文件：182.46 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES • Suitable for output stage of 3 watts Amplifier • Suitable flat package • High DC current gain • PC=1.0 to 2.0W(mounted on ceramic substrate) • Complementary to 2SC2884 文件：182.46 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH

晶体管资料

型号：
2SA1204
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX51,BCX52,BCX53,2SA1364,2SB1734,2SB804,3CA1A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
35
htest：
120000000
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
0.8
VCBO(V)：
35
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.1
VCE(sat)(V)：
0.7
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.02
Package：
SOT-89

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更多2SA1204供应商更新时间2026-4-19 14:00:00

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