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2SA1225	文件：148.56 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications • High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) • Complementary to 2SC2983 文件：148.56 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：150.83 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications • High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) • Complementary to 2SC2983 文件：150.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：303.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.1A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC2983 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：303.55 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1225	文件：322.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= -0.1A ·High transition frequency ·Complementary to 2SC2983 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：322.58 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1225	文件：150.83 Kbytes Page：4 Pages	Driver Stage Amplifier Applications Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications • High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) • Complementary to 2SC2983 文件：150.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：243.24 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：243.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1225	文件：1.16692 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.16692 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1225	文件：163.16 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications 文件：163.16 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1225	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Driver / Power amplifier\nPolarity：PNP\nComplementary Product：2SC2983\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -1.5 A \nCollector power dissipation PC 15 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO -160 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-160
IC(Max)(A)：
-1.5
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
240
VCE(sat)(Max)(V)：
-1.5
fT(Typ.)(MHz)：
100
ComplementaryProduct：
2SC2983
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
New PW-Mold
Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA1225供应商更新时间2025-12-9 16:04:00

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