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2SA1221

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES • Ideal for use of high withstanding voltage current such as TV vertical deflection output, audio output, and variable power supplies. • Complementary transistor with 2SC2958 and 2SC2959 VCEO = 140 V: 2SA1

文件:85.24 Kbytes 页数:4 Pages

NEC

瑞萨

2SA1221

SILICON TRANSISTORS

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS

文件:298.08 Kbytes 页数:6 Pages

RENESAS

瑞萨

2SA1221

Transistor-Bipolar Power Transistors

Renesas

瑞萨

2SA1312-GR

SOT-23

TOSHIBA

东芝

上传:瀚佳科技(深圳)有限公司

2SA1315

TO-92L

东芝进口

技术参数

  • VCEO (V):

    140

  • hFE min.:

    100

  • hFE max.:

    400

  • Pc (W):

    1

  • Production Status:

    EOL

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NEC
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更多2SA1221供应商 更新时间2025-12-9 14:04:00