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2SA1221	文件：85.24 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES • Ideal for use of high withstanding voltage current such as TV vertical deflection output, audio output, and variable power supplies. • Complementary transistor with 2SC2958 and 2SC2959 VCEO = 140 V: 2SA1 文件：85.24 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1221	文件：298.08 Kbytes Page：6 Pages	SILICON TRANSISTORS PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS 文件：298.08 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1221	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SA1312-GR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	TOSHIBA 东芝上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	TOSHIBA
2SA1315	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92L	东芝进口上传：深圳市勤思达科技有限公司	东芝进口

晶体管资料

型号：
2SA1221
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2N5401,2SA840,2SA1013,2SA1248,2SA1319,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
160
htest：
45000000
atest：
0.5
wtest：
1

技术参数

VCEO (V)：
140
hFE min.：
100
hFE max.：
400
Pc (W)：
1
Production Status：
EOL

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更多2SA1221供应商更新时间2026-1-27 14:04:00

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