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2SA1200	文件：172.96 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High Voltage Switching Applications • High voltage: VCEO = −150 V • High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.) • Small flat package • PC = 1 to 2 W (mounted on a ceramic substrate) • Complementary to 2SC2880 文件：172.96 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1200	文件：434.56 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Switching Applications Features ● High Voltage : VCEO = -150V ● High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.) ● Small Flat Package ● Complementary to 2SC2880 文件：434.56 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1200	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1201	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1201	文件：366.99 Kbytes Page：2 Pages	Voltage Amplifier Applications Features ● High Voltage : VCEO = -120V ● High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.) ● Small Flat Package ● Complementary to 2SC2881 文件：366.99 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1201	文件：232.02 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High voltage ● High transition frequency ● Complementary to 2SC2881 文件：232.02 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1201	文件：501.2 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DO；Package：SOT-89；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High voltage High transition frequency Small flatpackage Complementary to 2SC2881 文件：501.2 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1201	文件：109.25 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -800 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -120 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：109.25 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1201	文件：918.56 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features High fT, high VCEO, small flat package, complementary pair with 2SC2881. Applications Power amplifier applications. 文件：918.56 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1201	文件：1.6273 Mbytes Page：2 Pages	High voltage, High transtition frequency FEATURES High voltage High transition frequency Complementary to 2SC2881 文件：1.6273 Mbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

晶体管资料

型号：
2SA1226
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_射频/高频放大（HF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
400MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF536,BF550,BF568,BF569,BF660,2SA1022,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
40
htest：
400000000
atest：
0.03
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
-40
IC @25 °C (A)：
-0.03
VCE (sat) (V)：
-0.3
hFE：
40-180
Pc (W)：
0.2
fT (Typical) (GHz)：
0.4
Cob (Typical) (pF)：
1.1

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