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2SA1201	文件：155.71 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Voltage Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High voltage: VCEO = −120 V • High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.) • Small flat package • PC = 1 to 2 W (mounted on a ceramic substrate) • Complementary to 2SC2881 文件：155.71 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1201	文件：99.78 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1201 is designed for power amplifier and voltage amplifier applications. FEATURES * High voltage: VCEO= -120V * High transition frequency: fT=120MHz(typ.) * Pc=1 to 2 W(mounted on ceramic substrate) 文件：99.78 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1201	文件：282.15 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES High voltage High transition frequency Complementary to 2SC2881 文件：282.15 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1201	文件：1.59696 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High voltage ● High transition frequency ● Complementary to 2SC2881 文件：1.59696 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1201	文件：366.99 Kbytes Page：2 Pages	Voltage Amplifier Applications Features ● High Voltage : VCEO = -120V ● High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.) ● Small Flat Package ● Complementary to 2SC2881 文件：366.99 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1201	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1201	文件：232.02 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High voltage ● High transition frequency ● Complementary to 2SC2881 文件：232.02 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1201	文件：501.2 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DO；Package：SOT-89；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High voltage High transition frequency Small flatpackage Complementary to 2SC2881 文件：501.2 Kbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1201	文件：109.25 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -800 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -120 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：109.25 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

晶体管资料

型号：
2SA1201
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB806,2SB1025,3CA1F,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

Polarity：
PNP
Features：
Power Amps Driver Stage
VCEO(Max)(V)：
-120
IC(Max)(A)：
-0.8
hFE(Min)：
80
hFE(Max)：
240
VCE(sat)(Max)(V)：
-1.0
fT(Typ.)(MHz)：
120
ComplementaryProduct：
2SC2881
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6

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更多2SA1201供应商更新时间2026-4-17 16:08:00

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