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2SA1201	文件：209 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DO；Package：SOT-89；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ● High voltage ● High transition frequency ● Small flatpackage ● Complementary to 2SC2881 文件：209 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1201	文件：918.56 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features High fT, high VCEO, small flat package, complementary pair with 2SC2881. Applications Power amplifier applications. 文件：918.56 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1201	文件：1.6273 Mbytes Page：2 Pages	High voltage, High transtition frequency FEATURES High voltage High transition frequency Complementary to 2SC2881 文件：1.6273 Mbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SA1201	文件：351.63 Kbytes Page：2 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High voltage High transition frequency 文件：351.63 Kbytes 页数：2 Pages	WILLAS 威伦电子	WILLAS
2SA1201	文件：63.49 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 500 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : -800 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -120 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：63.49 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA1201	文件：145.26 Kbytes Page：4 Pages	丝印：DO；Package：SOT-89；Plastic-Encapsulate Transistors 文件：145.26 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1201	文件：77.65 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：77.65 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA1201	文件：158.83 Kbytes Page：4 Pages	Voltage Amplifier Applications Power Amplifier Applications 文件：158.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1201	文件：146.86 Kbytes Page：4 Pages	Voltage Amplifier Applications Power Amplifier Applications 文件：146.86 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1201	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor The UTC 2SA1201 is designed for power amplifier and voltage amplifier applications. • High voltage: VCEO= -120V \n• Pc=1 to 2 W(mounted on ceramic substrate);	UTC 友顺	UTC

晶体管资料

型号：
2SA1201
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB806,2SB1025,3CA1F,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
0.8
wtest：
0

技术参数

Polarity：
PNP
Features：
Power Amps Driver Stage
VCEO(Max)(V)：
-120
IC(Max)(A)：
-0.8
hFE(Min)：
80
hFE(Max)：
240
VCE(sat)(Max)(V)：
-1.0
fT(Typ.)(MHz)：
120
ComplementaryProduct：
2SC2881
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6

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更多2SA1201供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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