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2SA1201分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

2SA1201

厂商型号	2SA1201
参数属性	2SA1201 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD
功能描述	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
封装外壳	TO-243AA
文件大小	155.71 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	Toshiba Semiconductor
企业简称	TOSHIBA【东芝】
中文名称	株式会社东芝官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-7-2 10:31:00
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2SA1201规格书详情

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Power Amplifier Applications

• High voltage: VCEO = −120 V

• High transition frequency: fT = 120 MHz (typ.)

• Small flat package

• PC = 1 to 2 W (mounted on a ceramic substrate)

• Complementary to 2SC2881

产品属性

产品编号：
2SA1201-Y(TE12L,ZC
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PW-MINI
描述：
PB-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD

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