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2SA1163

TRANSISTOR(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPUFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=−120V •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=200~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) •Complementaryto2SC2713 •Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SA1163

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SA1163

SiliconPNPEpitaxialType

Features •Highvoltage. •Smallpackage. •HighhFE. •Lownoise.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

2SA1163

NewJerseySemi-ConductorProducts,

NewJerseySemi-ConductorProducts

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

2SA1163

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications

AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltage:VCEO=−120V •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=−0.1mA)/hFE(IC=−2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=200~700 •Lownoise:NF=1dB(typ.),10dB(max) •Complementaryto2SC2713 •Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

2SA1163-G

PNPTransistors

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

2SA1163-G-HF

PNPTransistors

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

2SA1163-L

PNPTransistors

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

2SA1163-L-HF

PNPTransistors

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

详细参数

  • 型号:

    2SA1163GR

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
50
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NA
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2023+
SOT23
50000
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现货-ROHO
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更多2SA1163GR供应商 更新时间2024-6-3 16:30:00