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2SA1162	文件：153.83 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 文件：153.83 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 文件：178.67 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：189.37 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 文件：189.37 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：222.34 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES PNP General Purpose Transistor 文件：222.34 Kbytes 页数：2 Pages	GSME 桂微	GSME
2SA1162	文件：312.92 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES . Low noise : NF= 1dB(Typ.),10dB (Max.) . Complementary to 2SC2712. . Small Package. MARKING: SO , SY , SG 文件：312.92 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SA1162	文件：1.11548 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Low noise ● Complementary to 2SC2712 ● Small Package 文件：1.11548 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA1162	文件：86.92 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712 文件：86.92 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA1162	文件：270.47 Kbytes Page：4 Pages	丝印：SG；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Low noise:NF=1dB(Typ),10dB(Max). ● Commplementary to 2SC2712. ● Small package. APPLICATIONS ● General purpose application. 文件：270.47 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1162	文件：227.58 Kbytes Page：1 Pages	New Jersey Semi-Conductor Products, New Jersey Semi-Conductor Products 文件：227.58 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1162	文件：324.09 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon General Purpose Transistor FEATURES • Low Noise: NF=1 dB(Typ.), 10 dB(Max.) • Complements of the 2SC2712 MECHANICAL DATA • Case: SOT-23, Molded Plastic • Weight: 0.008 grams(approx.) 文件：324.09 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
2SA1162
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC856,BC857,BCW69,BCW70,BCW89,2SA1311,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
80000100
atest：
0.15
wtest：
0.15

技术参数

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
ComplementaryProduct：
2SC2712
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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