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2SA1162	文件：104.56 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：104.56 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V,0.15A,General Purpose PNP Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SA1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP)	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
2SA1162	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SA1162-G	文件：639.74 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SG；Package：SOT-23；PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712 文件：639.74 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SA1162-GR	文件：178.67 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 文件：178.67 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162GT1	文件：50.1 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Transistors •Moisture Sensitivity Level: 1 •ESD Rating: TBD 文件：50.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1162-O	文件：199.3 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features • Capable of 0.15Watts of Power Dissipation. • Collector-current: 0.15A • Collector-base Voltage: -50V • Operating and storage junction temperature range: -55°C to +150°C • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Lead Free Finish/RoHS 文件：199.3 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SA1162-O	文件：639.74 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SO；Package：SOT-23；PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712 文件：639.74 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SA1162S-Y-LF	文件：189.37 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO= −50 V, IC= −150 mA (max) • Excellent hFElinearity: hFE(IC= −0.1 mA)/hFE(IC= −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE= 70~400 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 文件：189.37 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SA1162
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC856,BC857,BCW69,BCW70,BCW89,2SA1311,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
80000100
atest：
0.15
wtest：
0.15

技术参数

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
ComplementaryProduct：
2SC2712
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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